内存产品
世界上最可靠的内存
我们今天使用的电子系统需要某种形式的内存来存储数据和软件。作为高品质存储器产品的领先供应商，我们提供广泛的串行 EEPROM、串行 EERAM、并行 EEPROM、OTP EPROM、串行闪存、并行闪存、串行 SRAM、NVSRAM 和 CryptoMemory® 安全 IC 产品组合，以满足您的内存需求。我们还提供业界首款商用串行内存控制器，用于高性能数据中心计算应用。我们广泛的测试协议确保了行业领先的稳健性和耐用性以及一流的质量，从而在产品的整个生命周期内为您提供可靠的产品、可靠的技术支持和一致的设备供应。
特种存储器产品
耐辐射存储器
汽车级存储器
记忆链接产品选择工具
MemoryLink 产品选择工具是一款出色的发现工具，可提供我们所有内存产品和支持开发板的全面概述。此交互式工具包含可选链接，使您可以快速导航到特定于产品的信息。为了您的方便，它可以作为在线网络工具或可下载的PDF提供。
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串行 EEPROM 存储器产品
串行 EEPROM
串行EEPROM是低功耗、非易失性存储器器件，具有强大的工作范围、小尺寸和字节可变性，使其成为数据和程序存储的理想选择。串行 EEPROM 可以写入超过一百万次。
128 位到 4 兆位
提供 I2C、SPI、微线、单线和 UNI/O® 总线模式
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串行 EERAM 存储器产品
串行电弧菌
EERAM 是一种具有影子 EEPROM 备份的非易失性 SRAM。断电时，数据采用一个小型外部电容器自动备份到 EEPROM 上。与NVSRAM不同，不需要外部电池。该器件将 EEPROM 的可靠性与 SRAM 的性能相结合。EERAM提供无限的擦除和写入周期到存储器。
SPI：64 Kbit 至 1 Mbit
I2C： 4 Kbit 至 64 Kbit
提供 SOIC-8、TSSOP-8、TDFN-8 型号
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串行闪存产品
串行闪存
我们的串行四通道I/O™（SQI™）和SPI闪存器件采用我们专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造，可显着提高性能（在不到25 ms的时间内擦除任何模块）和可靠性（100年数据保留），同时降低功耗。
3V 时为 512 Kbit 至 64 Mbit，1.8V 时为多种密度
SQI 闪存设备：高达 104 MHz，包括高级安全功能
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并行闪存产品
并行闪存
我们的多用途并行闪存采用我们专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造，可显着提高性能（在不到25 ms的时间内擦除任何模块）和可靠性（100年数据保留），同时降低功耗。
3V 时为 1 Mbit 至 64 Mbit，5V 和 1.8V 时为多种密度
高级 MPF+ 中提供卓越的读取性能和安全功能
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串行 SRAM 存储器产品
串行静态存储器
串行 SRAM 是一种独立的易失性存储器，它提供了一种简单而廉价的方式来为您的应用添加更多 RAM。这些 8 引脚器件具有无限的耐用性和零写入时间。
64 Kbit 到 1 Mbit
SPI、SDI 和 SQI 总线模式
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串行 NVSRAM 存储器产品
串行 NVSRAM
串行 NVSRAM 通过外部电池提供低成本、非易失性 RAM 存储，非常适合需要经常写入内存的应用。
512 Kbit 到 1 Mbit
电池备份
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并行 EEPROM 存储器产品
并行电子光
并行 EEPROM 提供强大的非易失性存储器，读取时间比串行 EEPROM 快，适用于电信、航空电子、军事和其他应用中的直接代码执行和高可靠性数据存储。
64 Kbit 至 1 Mbit，具有 2.7V 和 5V 选项
并行数据访问，类似于用于读取和写入周期的静态 RAM。
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一次性放电调压存储器产品
OTP EPROM
具有快速并行访问时间的一次性可编程 （OTP） EPROM 技术可提供安全、不可更改的内存，从而实现出色的固件和数据保护。
256 Kbit 至 8 Mbit，带 5V、3V 和电池电压 2.7V 选项
快速编程算法：100 μs/字节
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安全密钥存储设备
加密身份验证™集成电路
这些安全密钥存储设备提供真正的安全边界来保护加密密钥。它们有助于防止配件和一次性应用的假冒，还可以保护您的物联网设备的相互身份验证。
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智能内存控制器
智能内存控制器
业界首款商用串行内存控制器 SMC 1000 8x25G 使 CPU 和其他以计算为中心的 SoC 能够利用并行连接的 DDR4 DRAM 的四倍内存通道，从而以超低延迟为计算密集型平台提供更高的内存带宽和媒体独立性。
增加内存带宽
独立于媒体
降低解决方案成本